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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
66
左右 -89% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
35
读取速度,GB/s
2,929.1
14.8
写入速度,GB/s
2,978.2
11.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2336
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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