RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,978.2
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
66
Около -89% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
2336
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link