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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
66
左右 -89% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
35
读取速度,GB/s
2,929.1
15.0
写入速度,GB/s
2,978.2
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2654
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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