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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
66
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
24
读取速度,GB/s
2,929.1
15.8
写入速度,GB/s
2,978.2
12.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2761
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905633-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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