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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
66
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
24
读取速度,GB/s
2,929.1
16.8
写入速度,GB/s
2,978.2
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2946
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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