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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
66
左右 -187% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
2,978.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
23
读取速度,GB/s
2,929.1
15.5
写入速度,GB/s
2,978.2
8.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2414
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
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Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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