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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
66
En -187% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
2,978.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
2414
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
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