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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
66
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
22
读取速度,GB/s
2,929.1
17.2
写入速度,GB/s
2,978.2
13.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2989
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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