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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
66
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.5
2,978.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
24
读取速度,GB/s
2,929.1
13.8
写入速度,GB/s
2,978.2
6.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
1983
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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