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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.8
17.5
写入速度,GB/s
8.4
14.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3434
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
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