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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB

总分
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

总分
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NSITEXE Inc Visenta 16GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB 需要考虑的原因
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 58
    左右 48% 更低的延时
NSITEXE Inc Visenta 16GB 需要考虑的原因
NSITEXE Inc Visenta 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    18 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 6.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    30 left arrow 58
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 18.0
  • 写入速度，GB/s
    6.4 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1927 left arrow 2025

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB RAM的比较

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Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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内存RAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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内存RAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
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内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston 9905665-021.A00G 4GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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