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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
66
左右 -83% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
36
读取速度,GB/s
2,929.1
13.4
写入速度,GB/s
2,978.2
10.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2466
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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