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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
66
左右 -106% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
32
读取速度,GB/s
2,929.1
15.9
写入速度,GB/s
2,978.2
10.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2240
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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