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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

总分
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 17.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,076.1 left arrow 13.0
    测试中的平均数值
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB 需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 59
    左右 -168% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    4,723.5 left arrow 17.4
  • 写入速度，GB/s
    2,076.1 left arrow 13.0
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    741 left arrow 3162

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
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内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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内存RAM
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Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
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