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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
46
读取速度,GB/s
12.8
11.6
写入速度,GB/s
9.0
10.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2469
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
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