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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
59
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
25
读取速度,GB/s
4,723.5
15.2
写入速度,GB/s
2,076.1
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2655
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
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