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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,723.5
17.0
写入速度,GB/s
2,076.1
13.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3167
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
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