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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
36
读取速度,GB/s
4,723.5
15.5
写入速度,GB/s
2,076.1
12.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2970
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
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