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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,723.5
19.6
写入速度,GB/s
2,076.1
15.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3432
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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