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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
33
读取速度,GB/s
4,723.5
15.7
写入速度,GB/s
2,076.1
11.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2634
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
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