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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
59
左右 -55% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
38
读取速度,GB/s
4,723.5
14.5
写入速度,GB/s
2,076.1
10.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2509
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
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Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
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Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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