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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,723.5
15.5
写入速度,GB/s
2,076.1
12.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2628
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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