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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
34
读取速度,GB/s
8.0
15.1
写入速度,GB/s
7.3
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2620
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
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