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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston XWM8G1-MIE 32GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
16.9
写入速度,GB/s
8.4
16.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3704
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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