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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
AMD R748G2606U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
61
左右 43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R748G2606U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
61
读取速度,GB/s
14.4
15.0
写入速度,GB/s
9.5
8.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2028
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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