RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против AMD R748G2606U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
AMD R748G2606U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
61
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
14.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
61
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2028
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link