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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,723.5
16.8
写入速度,GB/s
2,076.1
12.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2987
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
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