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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
41
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
38
读取速度,GB/s
11.1
12.6
写入速度,GB/s
8.2
8.8
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1348
2174
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB RAM的比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
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