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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
59
左右 -127% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
26
读取速度,GB/s
4,723.5
14.2
写入速度,GB/s
2,076.1
11.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2978
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
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