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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,723.5
17.9
写入速度,GB/s
2,076.1
13.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3396
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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