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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,723.5
17.7
写入速度,GB/s
2,076.1
14.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3482
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
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