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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,723.5
18.7
写入速度,GB/s
2,076.1
12.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2947
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
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