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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,723.5
19.1
写入速度,GB/s
2,076.1
14.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3040
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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