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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
59
左右 -26% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
47
读取速度,GB/s
4,723.5
11.2
写入速度,GB/s
2,076.1
8.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2362
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较
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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD48G30M3 8GB
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Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
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