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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
36
读取速度,GB/s
4,723.5
15.4
写入速度,GB/s
2,076.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2792
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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