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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
36
读取速度,GB/s
4,723.5
18.6
写入速度,GB/s
2,076.1
15.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3372
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
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