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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
54
59
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5.3
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
4.2
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
54
读取速度,GB/s
4,723.5
5.3
写入速度,GB/s
2,076.1
4.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
1277
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Mushkin 991586 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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