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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
59
左右 -31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
45
读取速度,GB/s
4,723.5
11.6
写入速度,GB/s
2,076.1
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2036
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
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