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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
59
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.1
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
38
读取速度,GB/s
4,723.5
9.3
写入速度,GB/s
2,076.1
6.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
1493
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
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