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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
59
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
25
读取速度,GB/s
4,723.5
15.3
写入速度,GB/s
2,076.1
11.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2681
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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