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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
比较
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
总分
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
42
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
31
读取速度,GB/s
13.6
17.7
写入速度,GB/s
8.4
14.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3482
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
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