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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
62
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
38
读取速度,GB/s
4,216.7
12.9
写入速度,GB/s
1,658.4
9.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
2687
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
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