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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 -28% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
36
读取速度,GB/s
4,937.3
14.2
写入速度,GB/s
2,061.2
10.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2474
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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Kingston 9965604-016.C01G 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
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