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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
62
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
30
读取速度,GB/s
4,216.7
19.0
写入速度,GB/s
1,658.4
15.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
3655
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-043.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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