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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
62
左右 -148% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.1
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
25
读取速度,GB/s
4,216.7
14.8
写入速度,GB/s
1,658.4
7.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
2175
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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