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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
62
71
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.4
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
71
读取速度,GB/s
4,216.7
15.6
写入速度,GB/s
1,658.4
6.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
1650
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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