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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
68
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
23
读取速度,GB/s
4,402.8
18.2
写入速度,GB/s
2,013.5
14.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
3245
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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