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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
68
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
35
读取速度,GB/s
4,402.8
17.2
写入速度,GB/s
2,013.5
16.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
3225
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
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