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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
68
左右 -127% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
2,013.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
30
读取速度,GB/s
4,402.8
15.2
写入速度,GB/s
2,013.5
9.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
2355
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
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