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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Kingston 9905703-008.A00G 16GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
68
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
34
读取速度,GB/s
4,402.8
16.3
写入速度,GB/s
2,013.5
13.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
2978
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
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